[SSD NAND 8.5] NAND Flash 失效之 Program Disturb | 闪存写入(编程)干扰 | 写个数据还能误伤已有资料？

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1. Program Disturb 形成原因

    NAND Program 原理　

    编程施加电压

2. 写干扰的产生

    Program Disturb　

    Pass Disturb

3. Program Disturb 影响范围

4. Program Disturb 规避办法

Program Disturb 形成原因

NAND Program 原理

数据在Flash闪存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的控制门（Control gate）所被施加的电，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth 来表示0 or 1. 参考[1]

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图1： 存储单元结构

图片来源： PCEVA

注：本文转载自blog.csdn.net的元存储的文章"https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/132129084"。版权归原作者所有，此博客不拥有其著作权，亦不承担相应法律责任。如有侵权，请联系我们删除。
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