Vt Distribution Widen and Shift Right: Read Disturb
图片来源：知乎，文献[6]
全文 3400 字， 主要内容
形成原因
NAND Read 原理回顾
读干扰产生的原因
读干扰的影响
读干扰对电压阈值分布影响
读干扰对RBER影响
Edge WL
读指定WL的影响
如何减少读干扰的影响
本篇目标是了解NAND Read Disturb, 以记影响的表现是什么。目标是对异常的电压阈值分别，能初步排查是否 Read Disturb, 进一步提供方案解决读干扰影响。
Flash 失效分类
Flash失效按照不同的分类方式可以分为浮栅失效和结构失效。浮栅失效类似于MOS管的一般失效类型，与Flash的存储机理相关。由于Flash工作过程中F-N效应和热电子效应反复发生，会导致氧化层击穿和陷阱，引起高漏电流。结构失效可以理解为误码[4]。
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