[SSD NAND 8.3] NAND VT Distribution 和失效模式

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全文 2800 字， 内容摘要：

1 从NMOS Vt到FGNMOS Vt

2 Vt Distribution

3 Vt Distribution 恶化之源

    3.1 P/E cycle increase

    3.2 Data Retention

    3.3 Program/Read Disturb

    3.4 温度对 VT 的影响

4 由Vt 电压判断数据

    4.1 正常读取数据

    4.2 读数据出错处理

前言

Vt Distribution是NAND Flash非常重要的一个特性。

1 从NMOS Vt到FGNMOS Vt

阈值电压(Vt或Vth)的概念是从MOS(Metal-Oxide-Semicondut

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