前言
世界各大主流闪存厂商，如美光、海力士、铠侠和长江存储积极致力于QLC的研发，并相继推出了QLC SSD 产品。随着技术的不断进步，人们普遍担心的QLC擦写寿命少正逐渐被改善。QLC SSD 成本是最大的优势，不指望说替代 TLC SSD， 替代 HDD 指日可待。
但因为 PLC NAND 本身的一些劣势， 对 NAND 闪存控制器（主控）带来了很大的挑战。
今天我们一起聊一聊？
随着NAND Flash的制程越来越先进、单个Cell里面的bit数量不断增加。
NAND Flash由最初的SLC发展到目前的QLC，虽然存储密度获得了很大的提高，单位Bit的成本得到极大降低，但是也带来性能和可靠性缺陷。性能&可靠性对比是SLC>MLC>TLC>QLC，随着每个cell的bit数量的增加，读写寿命逐渐变短，速度变慢，能耗高，出错概率大。
1. 对芯片纠错能力要求更高
为什么随着NAND密度的增加，主控芯片纠错能力的重要性更大？
造成出错的主要原因是当每个c
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