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[元带你学NVMe协议] NVMe 1.4新特性:持久存储区域

  • 24-03-08 05:20
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前言

企业级NVMe固态硬盘自带有大容量的DRAM缓存,并且处于断电保护设计之下。PMR(Persistent Memory Region)空间提供了一种内存级读写速度、断电后数据不会丢失的存储区域。

东芝的CM5企业级固态硬盘已经支持这一特性。


1 概念

 除了闪存之外,大多数NVMe SSD还具有大量的DRAM, 消费级SSD 大多是DRAM-Less, 就是不带DRAM, 主要是企业级SSD 带DRAM。DRAM的主要目的是作为闪存转换层表的缓存,用于跟踪逻辑块地址和物理闪存地址之间的映射。但是NVME一直在探索其他方法来使用DRAM。1.2规范引入了控制器内存缓冲区,这使得一些SSD的DRAM可以通过PCI地址空间直接访问。这允许IO命令提交和完成队列位于SSD的内存中,而不是主机CPU的内存中,这可以减少提交端的延迟,并且可以在SSD和网络之间的对等DMA的结构中消除NVMe中的一些不必要的复制。卡允许数据完全绕过主机DRAM。NVMe1.4中新的持久性内存区域(PMR)功能的运行方式类似,主机系统可以使用基本PCIe传输直接读取或写入该内存,而不需要任何命令队列开销。实际上,控制器内存缓冲区通常用于支持正常的NVMe操作

注:本文转载自blog.csdn.net的元存储的文章"https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/130660837"。版权归原作者所有,此博客不拥有其著作权,亦不承担相应法律责任。如有侵权,请联系我们删除。
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